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Le module d'alimentation d'Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V conjuguent IGBT avec le fossé rapide/Fieldstop

Name: Le module d'alimentation d'Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V conjuguent IGBT avec le fossé rapide/Fieldstop
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF50R12RT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Nom De Marque:	Infineon
Numéro De Modèle:	FF50R12RT4
Quantité De Produit:	1 jeu
Conditions De Paiement:	T/T.
Capacité à Fournir:	1000sets

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

VCES:

1200V

Nom d'IC:

50A

ICRM:

100A

Applications:

Commandes de moteur

Caractéristiques électriques:

Basses pertes de commutation

Détails d'emballage:

Emballage de boîte en bois

Capacité d'approvisionnement:

1000sets

Mettre en évidence:

module d'igbt de puissance élevée

igbt des véhicules à moteur

Description du produit

Infineon FF50R12RT4 les 34 millimètres bien connus 1200V conjuguent des modules d'IGBT avec le fossé/fieldstop IGBT4 et l'émetteur rapides commandé

Applications typiques

• Convertisseurs de puissance élevée

• Commandes de moteur

• Systèmes d'UPS

Caractéristiques électriques

• La température prolongée Tvj d'opération op

• Basses pertes de commutation

• Bas VCEsat

• Tvj op = 150°C

• VCEsat avec le coefficient de température positif

Caractéristiques mécaniques

• Embase d'isolement

• Logement standard

IGBT, inverseur

Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Courant de collecteur continu de C.C	Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C	Nom d'IC	50	A
Courant de collecteur maximal répétitif	tP = 1 Mme	ICRM	100	A
Dissipation de puissance totale	Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C	Ptot	285	W
tension de crête de Porte-émetteur		VGES	+/--20	V

Valeurs caractéristiques

Tension de saturation de collecteur-émetteur	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE reposé		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Tension de seuil de porte	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Charge de porte	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Résistance interne de porte	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Capacité d'entrée	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Capacité inverse de transfert	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GLACE			1,0	mA
courant de fuite de Porte-émetteur	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	le TD dessus		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Temps de montée, charge inductive	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TR		0,02 0,03 0 035		µs µs µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	le TD		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Temps de chute, charge inductive	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0 045 0,08 0,09		µs µs µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Éon		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		MJ MJ MJ
Données de Sc	≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		180		MJ MJ MJ
Résistance thermique, jonction au cas	IGBT/par IGBT	RthJC			0,53	K/W
Résistance thermique, radiateur de caseto	CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K)	RthCH		0 082		K/W
La température dans des conditions de commutation		Tvj op	-40		150	°C

Les étiquettes:

Module de communication à distance de réseau 4G universel CAT1 Quectel LTE série EG912U Standard TD-LTE 4G TCP/UDP/PPP/FTP/HTTP

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Déclencheur électrique de valve

Valve de centrale

Relais de contrôle électronique

Contrôleur ESP

Circuit d'allumage de haute performance

Indicateur de vitesse de Digitals

Capteur de vitesse rotation

Pièce de rechange de conducteur de charbon

3 Moteurs électriques de phase

Pesez le contrôleur de conducteur

Indicateurs de niveau magnétiques

Relais de Protection transformateur

Contacteur de C.C

Dispositifs de protection de basse tension

Électro frein hydraulique d'éjecteur

Module de puissance IGBT

Déclencheur électrique de valve

Valve de centrale

Relais de contrôle électronique

Contrôleur ESP

Circuit d'allumage de haute performance

Indicateur de vitesse de Digitals

Capteur de vitesse rotation

Pièce de rechange de conducteur de charbon

3 Moteurs électriques de phase

Pesez le contrôleur de conducteur

Indicateurs de niveau magnétiques

Relais de Protection transformateur

Contacteur de C.C

Dispositifs de protection de basse tension

Électro frein hydraulique d'éjecteur

Module de puissance IGBT

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Le module d'alimentation d'Infineon IGBT FF50R12RT4 34mm 1200V conjuguent IGBT avec le fossé rapide/Fieldstop

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module d'igbt de puissance élevée

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