Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | Infineon |
Numéro de modèle: | FF200R12KT4 |
Quantité de commande min: | 1 jeu |
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Détails d'emballage: | Emballage de boîte en bois |
Délai de livraison: | 25 jours après la signature du contrat |
Conditions de paiement: | T/T. |
Capacité d'approvisionnement: | 1000sets |
VCES: | 1200V | Nom IC d'IC: | 200 A |
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IC: | 320A | ICRM: | 400A |
Surligner: | module d'igbt de puissance élevée,igbt des véhicules à moteur |
série C du moitié-pont 62mm 1200 V, double IGBT module d'entraînement de puissance des modules FF200R12KT4 de l'inverseur
Valeurs évaluées maximum
Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C |
Nom d'IC IC |
200 320 |
A A |
Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 400 | A |
Dissipation de puissance totale |
Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C |
Ptot | 1100 | W |
tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Valeurs caractéristiques
Tension de saturation de collecteur-émetteur |
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C |
VCE reposé | 1,75 2,05 2,10 |
2,15 | V VV |
|
Tension de seuil de porte | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 5,0 | mA | ||
courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | Na | ||
Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
le TD dessus | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
Temps de montée, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
TR | 0 045 0,04 0,50 |
µs µs µs |
||
Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
le TD | 0,45 0,52 0,54 |
µs µs µs |
||
Temps de chute, charge inductive | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0,10 0,16 0,16 |
µs µs µs |
||
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Éon | 10,0 15,0 17,0 |
19,0 30,0 36,0 |
||
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 14,0 20,0 23,0 |
MJ MJ MJ |
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Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C |
ISC | 800 | MJ MJ MJ |
||
Résistance thermique, jonction au cas | IGBT/par IGBT | RthJC | 0 135 | K/W | ||
Résistance thermique, radiateur de caseto | CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K) |
RthCH | 0 034 | K/W | ||
La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 150 |
°C
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Personne à contacter: Ms. Biona
Téléphone: 86-755-83014873
Télécopieur: 86-755-83047632
APF7.820.077C PCB pour rechange de contrôleur de tension ESP, tension et processus actuels de signal
Charbon de rechange Chargeur carte principale, carte CPU 9224 / CS2024 / EG24 (jury de Micro)