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demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm

Name: demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF200R12KT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Nom De Marque:	Infineon
Numéro De Modèle:	FF200R12KT4
Quantité De Produit:	1 jeu
Conditions De Paiement:	T/T.
Capacité à Fournir:	1000sets

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

VCES:

1200V

Nom IC d'IC:

200 A

IC:

320A

ICRM:

400A

Détails d'emballage:

Emballage de boîte en bois

Capacité d'approvisionnement:

1000sets

Mettre en évidence:

module d'igbt de puissance élevée

igbt des véhicules à moteur

Description du produit

série C du moitié-pont 62mm 1200 V, double IGBT module d'entraînement de puissance des modules FF200R12KT4 de l'inverseur

Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Courant de collecteur continu de C.C	Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C	Nom d'IC IC	200 320	A A
Courant de collecteur maximal répétitif	tP = 1 Mme	ICRM	400	A
Dissipation de puissance totale	Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C	Ptot	1100	W
tension de crête de Porte-émetteur		VGES	+/--20	V

Valeurs caractéristiques

Tension de saturation de collecteur-émetteur	IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE reposé		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
Tension de seuil de porte	IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Charge de porte	VGE = -15 V… +15 V	QG		1,80		µC
Résistance interne de porte	Tvj = 25°C	RGint		3,8		Ω
Capacité d'entrée	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		14,0		N-F
Capacité inverse de transfert	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,50		N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GLACE			5,0	mA
courant de fuite de Porte-émetteur	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	le TD dessus		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Temps de montée, charge inductive	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	TR		0 045 0,04 0,50		µs µs µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	le TD		0,45 0,52 0,54		µs µs µs
Temps de chute, charge inductive	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	tf		0,10 0,16 0,16		µs µs µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Éon		10,0 15,0 17,0		19,0 30,0 36,0
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Eoff		14,0 20,0 23,0		MJ MJ MJ
Données de Sc	≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		800		MJ MJ MJ
Résistance thermique, jonction au cas	IGBT/par IGBT	RthJC			0 135	K/W
Résistance thermique, radiateur de caseto	CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K)	RthCH		0 034		K/W
La température dans des conditions de commutation		Tvj op	-40		150	°C

demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm 0

demi série C du lecteur de puissance du module FF200R12KT4 de pont de l'inverseur 1200V double IGBT 62mm 1

Les étiquettes:

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Déclencheur électrique de valve

Valve de centrale

Relais de contrôle électronique

Contrôleur ESP

Circuit d'allumage de haute performance

Indicateur de vitesse de Digitals

Capteur de vitesse rotation

Pièce de rechange de conducteur de charbon

3 Moteurs électriques de phase

Pesez le contrôleur de conducteur

Indicateurs de niveau magnétiques

Relais de Protection transformateur

Contacteur de C.C

Dispositifs de protection de basse tension

Électro frein hydraulique d'éjecteur

Module de puissance IGBT

Déclencheur électrique de valve

Valve de centrale

Relais de contrôle électronique

Contrôleur ESP

Circuit d'allumage de haute performance

Indicateur de vitesse de Digitals

Capteur de vitesse rotation

Pièce de rechange de conducteur de charbon

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Pesez le contrôleur de conducteur

Indicateurs de niveau magnétiques

Relais de Protection transformateur

Contacteur de C.C

Dispositifs de protection de basse tension

Électro frein hydraulique d'éjecteur

Module de puissance IGBT

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module d'igbt de puissance élevée

igbt des véhicules à moteur