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Détails des produits

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Module de puissance IGBT
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Les convertisseurs des véhicules à moteur FF1500R12IE5 de puissance élevée d'IGBT Modul actifs conjuguent 1500,0 A IGBT5 - E5

Les convertisseurs des véhicules à moteur FF1500R12IE5 de puissance élevée d'IGBT Modul actifs conjuguent 1500,0 A IGBT5 - E5

Nom De Marque: Infineon
Numéro De Modèle: FF1500R12IE5
Quantité De Produit: 1 jeu
Conditions De Paiement: T/T.
Capacité à Fournir: 1000sets
Informations détaillées
Lieu d'origine:
La Chine
VCES:
1200V
Nom d'IC:
1500A
ICRM:
3000A
Applications:
Commandes de moteur
Détails d'emballage:
Emballage de boîte en bois
Capacité d'approvisionnement:
1000sets
Mettre en évidence:

module d'igbt de puissance élevée

,

module d'igbt d'eupec

Description du produit

PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

Applications potentielles
• Systèmes d'UPS
• Convertisseurs de puissance élevée
• Applications solaires
• Commandes de moteur

Caractéristiques électriques
• Tvj op = 175°C
• Température de fonctionnement prolongée Tvj op
• Robustesse imbattable
• Fossé IGBT 5
• Capacité élevée de court-circuit

Caractéristiques mécaniques
• Paquet avec CTI>400
• Densité de puissance élevée
• Capacité de puissance élevée et de mise en chauffage
• Distances élevées d'ascension et de dégagement

Inverseur d'IGBT
Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur Tvj = 25°C VCES 1200 V
Courant de collecteur continu de C.C Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Nom d'IC 1500 A
Courant de collecteur maximal répétitif tP = 1 Mme ICRM 3000 A
tension de crête de Porte-émetteur VGES +/--20 V

Type de mn de valeurs caractéristiques. maximum.

Tension de saturation de collecteur-émetteur IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE reposé 1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
Tension de seuil de porte IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Charge de porte VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 7,15 µC
Résistance interne de porte Tvj = 25°C RGint 0,6
Capacité d'entrée f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 82,0 N-F
Capacité inverse de transfert f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,25 N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GLACE 5,0 mA
courant de fuite de Porte-émetteur VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
le TD dessus 0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
Temps de montée, charge inductive IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
TR 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
le TD 0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
Temps de chute, charge inductive IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
tf 0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C)
RGon = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Éon 120
180
215
MJ
MJ
MJ
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C)
RGoff = Ω 0,82
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff 155
195
220
MJ
MJ
MJ
Données de Sc ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C
ISC 5600 A
Résistance thermique, jonction au cas Chaque IGBT/par IGBT RthJC 19,5 K/kW
Résistance thermique, cas au radiateur chaque IGBT/par IGBT
λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease =1 avec (m·K)
RthCH 12,5 K/kW
La température dans des conditions de commutation Tvj op -40 175 °C

Les convertisseurs des véhicules à moteur FF1500R12IE5 de puissance élevée d'IGBT Modul actifs conjuguent 1500,0 A IGBT5 - E5 0