Name: C- Le demi module du pont IGBT de série, 1200V 450A conjuguent des turbines de vent du module FF450R12KT4 d'IGBT
Brand: Infineon
SKU: FF450R12KT4
Rating: 4.9 (199 reviews)

Aperçu Produits Module de puissance IGBT

C- Le demi module du pont IGBT de série, 1200V 450A conjuguent des turbines de vent du module FF450R12KT4 d'IGBT

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	Infineon
Numéro de modèle:	FF450R12KT4

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1 jeu
Détails d'emballage:	Emballage de boîte en bois
Délai de livraison:	25 jours après la signature du contrat
Conditions de paiement:	T/T.
Capacité d'approvisionnement:	1000sets

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Description de produit détaillée

VCES:	1200V	Nom d'IC:	450A
ICRM:	900A	Applications:	Commandes de moteur
Caractéristiques électriques:	Basses pertes de commutation
Surligner:	module d'igbt de puissance élevée , igbt des véhicules à moteur

série C du moitié-pont 62mm 1200 V, 450 doubles IGBT turbines de vent des modules FF450R12KT4 d'A

Applications typiques

• Convertisseurs de puissance élevée

• Commandes de moteur

• Systèmes d'UPS

• Turbines de vent

Caractéristiques électriques

• La température prolongée Tvj d'opération op

• Basses pertes de commutation

• Bas VCEsat

• Robustesse imbattable

• VCEsat avec le coefficient de température positif

Caractéristiques mécaniques

• 4 kilovolts d'isolation à C.A. 1min

• Paquet avec CTI > 400

• Distances élevées d'ascension et de dégagement

• Densité de puissance élevée

• Embase d'isolement

• Logement standard

IGBT, inverseur

Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Courant de collecteur continu de C.C	Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C	Nom d'IC IC	450 580	A A
Courant de collecteur maximal répétitif	tP = 1 Mme	ICRM	900	A
Dissipation de puissance totale	Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C	Ptot	2400	W
tension de crête de Porte-émetteur		VGES	+/--20	V

Valeurs caractéristiques

Tension de saturation de collecteur-émetteur	IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	VCE reposé		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
Tension de seuil de porte	IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Charge de porte	VGE = -15 V… +15 V	QG		3,60		µC
Résistance interne de porte	Tvj = 25°C	RGint		1,9		Ω
Capacité d'entrée	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		28,0		N-F
Capacité inverse de transfert	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		1,10		N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GLACE			5,0	mA
courant de fuite de Porte-émetteur	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C	le TD dessus		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Temps de montée, charge inductive	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C	TR		0 045 0,04 0,05		µs µs µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C	le TD		0,45 0,52 0,54		µs µs µs
Temps de chute, charge inductive	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C	tf		0,10 0,16 0,18		µs µs µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion	IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C	Éon		19,0 30,0 36,0		19,0 30,0 36,0
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion	IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C	Eoff		26,0 40,0 43,0		MJ MJ MJ
Données de Sc	≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C	ISC		1800		A
Résistance thermique, jonction au cas	IGBT/par IGBT	RthJC			0 062	K/W
Résistance thermique, radiateur de caseto	CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K)	RthCH		0,03		K/W
La température dans des conditions de commutation		Tvj op	-40		150	°C